贴片铝电解电容双极结型三极管相当于两个背靠背的二极管 PN 结。正向偏置的 EB 结有空穴从发射极注入基区，其中大局部
空穴可以抵达集电结的领土，并在反向偏置的 CB 结势垒电场的作用下抵达集电区，组成集电极电流 IC 。
在共发射极晶体管电路中 , 发射结在基极电路中正向偏置 , 其电压降很小。绝大局部
的集电极和发射极之间的外加偏压都加在反向偏置的集电结上。因为
VBE 很小，以是
基极电流约为 IB= 5V/50 k Ω = 0.1mA 。
若是
贴片铝电解电容晶体管的共发射极电流放
大系数β = IC / IB =100, 集电极电流 IC= β*IB=10mA。在500Ω的集电极负载电阻上有电压降VRC=10mA*500Ω=5V，而晶体管集电极和发射极之间的压降为VCE=5V，若是
在基极偏置电路中叠加一个交变的小电流ib，在集电极电路中将泛起一个照应
的交变电流ic，有c/ib=β，完成了双极晶体管的电流放
大作用。
金属氧化物半导体场效应三极管的基础
事情原理是靠半导体外表
的电场效应，在半导体中感生出导电沟道来阻止
事情的。当栅 G 电压 VG 增大时， p 型半导体外表
的少数
载流子棗空穴逐渐
镌汰
、耗尽，而电子逐渐
积聚
到反型。当外表
抵达
反型时，电子积聚
层将在 n+ 源区 S 和 n+ 漏区 D 之间组成导电沟道。当 VDS ≠ 0 时，源泄电
极之间有较大的电流 IDS 流过。使贴片铝电解电容半导体外表
抵达
强反型时所需加的栅源电压称为阈值电压 VT 。当 VGS>VT 并取分别
数值时，反型层的导电才干
将改动，在相反
的 VDS 下也将发作
分别
的 IDS , 完成栅源电压 VGS 对源泄电
流 IDS 的控制。
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