氮化镓电容
产品
概略
产品 说明
/instructions
GaN氮化镓质料动摇
又稳固
,它的熔点约为1700℃,做成GaN功率器件(GaNFET)后可以在200℃以上的高温
下事情。氮化镓比硅质料的禁带宽度大3倍、击穿场强高10倍、饱和电子迁移
速率
快3倍、热导率高2倍,这些功用
提升带来的下风
就是它比硅更适宜
做大功率高频的功率器件。
若是
电源插孔内的交流电是一望无边
的湖水,充电器内的功率器件就像勺子,需求
不时
将插孔内的湖水捞出,转化为直流电后再传输给数码装备
供电。此时,用MOSFET做的勺子每秒钟只能勺10下,再快就有销毁
歇工的风险。而GaNFET做的勺子每秒则可以勺至少
30下,效率高还不怕累。
在这种低消耗
和高开关频率特征
的资助
下,GaN氮化镓能以更低的发烧量去遭受
更大的功率。是以
,功率相反
的充电器,接纳GaNFET功率器件的产品
往往可以做的更轻盈
迷你。