氮化镓电容

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氮化镓电容

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产品 概略
  • 氮化镓充电器电容

氮化镓充电器电容

  • 更新时间 :2021-05-05 11:39:40
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产品 说明

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GaN氮化镓质料动摇 又稳固 ,它的熔点约为1700℃,做成GaN功率器件(GaNFET)后可以在200℃以上的高温 下事情。氮化镓比硅质料的禁带宽度大3倍、击穿场强高10倍、饱和电子迁移 速率 快3倍、热导率高2倍,这些功用 提升带来的下风 就是它比硅更适宜 做大功率高频的功率器件。
 
若是 电源插孔内的交流电是一望无边 的湖水,充电器内的功率器件就像勺子,需求 不时 将插孔内的湖水捞出,转化为直流电后再传输给数码装备 供电。此时,用MOSFET做的勺子每秒钟只能勺10下,再快就有销毁 歇工的风险。而GaNFET做的勺子每秒则可以勺至少 30下,效率高还不怕累。
 
在这种低消耗 和高开关频率特征 的资助 下,GaN氮化镓能以更低的发烧量去遭受 更大的功率。是以 ,功率相反 的充电器,接纳GaNFET功率器件的产品 往往可以做的更轻盈 迷你。
 

产品 参数

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行业运用

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