氮化镓电容
产品
概略
氮化镓充电器电容
- 更新时间 ：2021-05-05 11:39:40
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产品 说明
/instructions
GaN氮化镓质料动摇
又稳固
，它的熔点约为1700℃，做成GaN功率器件（GaNFET）后可以在200℃以上的高温
下事情。氮化镓比硅质料的禁带宽度大3倍、击穿场强高10倍、饱和电子迁移
速率
快3倍、热导率高2倍，这些功用
提升带来的下风
就是它比硅更适宜
做大功率高频的功率器件。
若是
电源插孔内的交流电是一望无边
的湖水，充电器内的功率器件就像勺子，需求
不时
将插孔内的湖水捞出，转化为直流电后再传输给数码装备
供电。此时，用MOSFET做的勺子每秒钟只能勺10下，再快就有销毁
歇工的风险。而GaNFET做的勺子每秒则可以勺至少
30下，效率高还不怕累。
在这种低消耗
和高开关频率特征
的资助
下，GaN氮化镓能以更低的发烧量去遭受
更大的功率。是以
，功率相反
的充电器，接纳GaNFET功率器件的产品
往往可以做的更轻盈
迷你。